HOME > 製品情報 > 半導体材料 > イオン注入材料

イオン注入材料

半導体工程における「不純物添加」に使用される、イオン注入材料をご提供いたします。当社で取り扱っているイオン注入材料は以下の3つに分かれます。

 

  1. クラスターイオン注入材料
  2. ガス材料
  3. 固体材料

クラスターイオン注入材料

当社は、SemEquip, Inc.の日本国内の販売代理店として、クラスターイオン注入材料を販売しております。 クラスターイオン注入材料は、低エネルギー高ドーズにおける最高の生産性を持ち、最も浅いジャンクションを形成することが可能です。 詳しくは、SemEquip, Inc.のホームページをご参照ください。(www.semequip.com

ClusterBoron® ClusterCarbon™

≪ 仕様 ≫

ClusterBoron®

 

デカボラン(Decaborane/B10H14)

(PDF 41KB)

オクタデカボラン(Octadecaborane/B18H22)

(PDF 70KB)

ClusterCarbon™

 

ビベンジル(Bibenzyl/C14H14)

(PDF 55KB)

フルオランテン(Fluoranthene/C16H10)

(PDF 67KB)

ガス材料

当社の提供する濃縮三フッ化ホウ素は、半導体に使用される11Bを、>99.8%(天然のホウ素では、11Bは約81%しか含まれていません)まで濃縮した製品であり、イオン注入工程において高いスループットと生産効率を高めます。また、シャロードープ材料として、四フッ化ゲルマニウムもご提供しております。

3M™ 11B濃縮三フッ化ホウ素(11BF3)

固体材料

固体材料として、高純度イオン注入材料をご提供いたします。

 

 

 

 

≪ 仕様 ≫

 

製品名

英語名

化学式 

純度サイズ
高純度赤燐 Red Phosphorus P 99.9999% Chunk, Ingot
高純度砒素 Arsenic As 99.9999% Chunk
三酸化アンチモン Antimony Trioxide Sb2O3 99.999%

Granule,  Powder

三塩化インジウム Indium Trichloride InCl3 99.999% Granule

 

PDFファイルをご覧になるには最新のAdobe Readerが必要です。

Adobe Readerがない方はソフトをダウンロードし、パソコンにインストールしてください。

お問い合わせはこちらから
ヤマナカ セラダイン株式会社
077-536-2022
インターネットで24時間受付中
このページの先頭へ戻る